次世代半導体、年内に開発拠点=日米連携、国内新会社にも補助―政府

政治・外交

経済産業省は11日、日米が共同で進める次世代半導体の量産化に向け、新たな研究開発拠点を年内をめどに設立すると発表した。併せて、トヨタ自動車やNTTなど国内大手企業8社が参画する新会社にも700億円を補助する。世界で次世代半導体の研究開発競争が激しさを増す中、日米や官民で連携し開発・量産体制の確立を目指す。

西村康稔経産相は同日の閣議後記者会見で、「半導体は経済安全保障の観点からも一層重要性が増しており、米国や海外の研究機関とも連携してわが国の半導体産業の競争力を強化したい」と強調した。

研究開発拠点は「技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)」で、産業技術総合研究所や理化学研究所、東大などが参画。トヨタなど8社が設立した次世代半導体の新会社「Rapidus(ラピダス)」も参加する。ラピダスは2020年代後半に、現在は世界で実用化されていない2ナノメートル(ナノは10億分の1)単位の半導体の製造基盤構築を目指す。

記者会見する西村康稔経済産業相=11日午前、東京都千代田区の経産省記者会見する西村康稔経済産業相=11日午前、東京都千代田区の経産省

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