舛冈先生的创意在日本并未得到肯定

下图是2种有代表性的半导体存储器DRAM和闪存（NOR及NAND）的世界市场规模变化，和舛冈富士雄的职位变动。

舛冈富士雄在1971年完成日本东北大学工程系电子工程专业的博士课程之后，成为东芝的正式员工。最初，他被分配到半导体的研究开发部门，1977年被调至营业部门。当时，虽然他针对IBM和英特尔等开展了各种推销活动，但是什么都没有销出去。

一年后，舛冈富士雄被调离营业部门转入半导体工厂的制造技术部门。当时的东芝销售业绩非常好，1M DRAM的销量占据全球份额的六成，舛冈富士雄似乎也为该产品的开发做出了卓越的贡献。

3、4年后，由于ULSI研究中心的当时研究中心所长武石喜幸先生的原因，舛冈富士雄于1980年后再次回到半导体的研究开发部门。这时，他想起了1980年时关于NOR的创意，于是1984年舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器ULSI的概念。然而，这并未得到东芝及日本社会的重视。

另一方面，英特尔看到了这项发明的潜力，与东芝签订了交叉授权许可协议，成立了300人的闪存事业部。当时英特尔技术制造本部副社长、香港出身的Stefan Lai评价称，英特尔改良了东芝发明的NOR，并成功实现批量生产和低价格，同时炫耀着自己豪宅，赞美“这就是美国梦”。

尽管东芝发明了NOR，但英特尔先行将其发展起来。舛冈富士雄并不服气，在1987年又提出NAND的概念，并且和10位各具特色的同事共同研发，仅3年时间就获得成功，并准备推动新发明实现产业化。当时的研发团队包括“优雅的天才”项目负责人白田理一郎先生（现任台湾清华大学教授）、舛冈的大管家兼出气筒、俗称“沙袋”的作井康司先生（后转职到索尼和英特尔）、原橄榄球选手、被称作“隐形的领导人”百富正树先生（现任东芝内存技术研究所长）等。

然而在1991年，舛冈富士雄的事业后盾、即ULSI研究所长武石喜幸突然去世(享年63岁)。舛冈富士雄失去了最理解和最支持他的领导。当时，东芝主力商品DRAM日均2亿日元的利润收益，而逆流而上研发NAND的舛冈富士雄却失去了理解者和支持者。

曾任舛冈富士雄领导的飯塚尚和评价说，舛冈富士雄是一个口直心快的人，他的行为很少有让上司喜欢的。他在别的领导手下干得也不太顺心吧。

之后，舛冈富士雄在1993年升职为技监，但也只是空职。他没有自己的办公室和部下，研发预算也没有，在东芝不能开展任何研发工作。于是，在1994年他辞职离开东芝，转职到东北大学任教授。也是那时，NAND开始实现了产业化生产。